해설　

고급 시리즈인 F그룹의 기술을 곳곳에 살려 정리한 프리메인 앰프.

파워 앰프 전단이 직접 결합으로 커플링 콘덴서를 사용하지 않는 구조로 되어 있습니다.
또한 소니 반도체 기술진이 개발한 고신뢰성 실리콘 트랜지스터는 기존 콘덴서를 사용한 출력 회로와 달리 저역에서도 출력, 왜곡 특성, 댐핑 팩터가 저하되지 않고 저음 재생을 개선하고 있습니다 .

프리앰프부는, 특히 저잡음용으로서 개발한 트랜지스터를 전면적으로 채용하고 있습니다.
이퀄라이저 앰프와 플랫 앰프에 NPN-PNP형 트랜지스터를 조합한 2단 직결 NFB형 회로를 사용하고 있습니다.
또한 이퀄라이저 앰프의 전원 전압을 고전압으로 함으로써 S/N, 다이나믹 레인지를 개선하고 있습니다.

톤 컨트롤에는 특성이 솔직하고 음질 열화가 없는 NFB 방식을 채용하고 있습니다.
턴오버 롤오프 주파수는 High, Low의 2단계 전환이 가능하며, 프로그램 소스의 음질과 청취실의 음향 특성에 맞춰 항상 최상의 상태로 제어할 수 있습니다.

 

형식	올 실리콘 트랜지스터 스테레오 프리 메인 앰프
회로 방식	파워 앰프: 2 전원 방식, 준 컴플리멘터리 대칭 SEPP 다이렉트 커플링 방식 프리앰프: 2석 직결 이퀄라이저 회로 및 플랫 회로 1석 NF형 톤 컨트롤 회로
<파워 앰프부>
출력(고조파 왜율 0.1%)	다이나믹 파워 (IHF, 정전압 공급 방법) : 120W(8Ω) 190W(4Ω) 유효 출력 1kHz, 한 채널: 45W/45W(8Ω) 65W/65W(4Ω) 1kHz, 양 채널: 40W+40W(8Ω) 50W+50W(4Ω) 20Hz~20kHz, 양 채널: 35W+35W(8Ω)
출력 대역 특성	6Hz~35kHz
고조파 왜율	0.1% 이하(정격 출력 시) 0.05% 이하(1W 출력 시)
혼변조 왜율 (60Hz:7kHz=4:1)	0.1% 이하(정격 출력 시) 0.05% 이하(1W 출력 시)
주파수 특성	10Hz~200kHz, +0 -2dB(1W 출력시)
입력 감도/임피던스	Power Amp Input : 0.85V / 100kΩ (정격 출력시)
출력 단자	Speaker : 2 계통 Headphone : 부하 임피던스 8Ω 이상 Center Channel Out : 1V / 100Ω
댐핑 팩터	100 이상(1kHz, 8Ω)
S/N비	110dB 이상 (폐쇄 회로, IHF, A 네트워크 사용)
잔류 잡음	0.05μW 이하 (프리 앰프 포함)
<프리앰프부>
입력 감도/임피던스	Phono1, 2:1.2mV/47kΩ Tuner, AUX1, 2, Tape1, 2, Rec/PB(입력부): 130mV/100kΩ
최대 허용 입력	포노1, 2:70mV
출력 레벨/임피던스	Pre Amp Output : 1V / 3kΩ Rec Out : 130mV / 10kΩ Rec / PB (출력부) : 30mV / 80kΩ
고조파 왜율	0.1% 이하(1kHz, 정격 출력 시)
혼합 변조 왜곡	0.1% 이하(정격 출력 시, 60Hz:7kHz=4:1)
주파수 특성	Phono1, 2:RIAA 곡선 ±0.5dB Tuner, AUX1, 2, Tape1, 2, Rec/PB(입력부): 15Hz~80kHz, ±2dB
라우드니스 컨트롤 (Volume -30dB)	50Hz:+8dB 10kHz:+3dB
톤 컨트롤	Bass:100Hz±10dB, 50Hz±10dB Treble:10kHz±10dB, 20kHz±10dB
필터	Low Filter: 70Hz 이하, 6dB/oct High Filter: 5kHz 이상, 6dB/oct
S/N비	Phono1, 2:70dB 이상(입력 1.2mV, B 네트워크) Tuner, AUX1, 2, Tape1, 2, Rec/PB(입력부): 　　　　　　　　　　　　　　　　　　90dB 이상(입력 130mV, A 네트워크)
<종합>
사용 반도체	트랜지스터:33 다이오드:4
전원	AC100V, 50Hz/60Hz
전원 콘센트	총 300W(연동 2계통, 비연동 1계통)
소비 전력	100W
외형치수	폭 400x 높이 149x 깊이 316mm
무게	9.8kg